东芝闪存命名规则？
第一代 (2013年1月) 24nm制程，接口协议：UFS1.1，HS-G2 1-Lane（2.9Gbps）
THGLF0G9B8JBAIE MLC UFS1.1 64GB 12x16x1.2 FBGA169
第二代 (2014年4月) 19nm制程，接口协议：UFS2.0，HS-g3 2-Lane（11.6Gbps）
THGLF2G8C4KBADR MLC UFS2.0 32GB 11.5x13x1.0 FBGA153
THGLF2G9C8KBADG MLC UFS2.0 64GB 11.5x13x1.2 FBGA153
第三代 (2015年12月前*) 15nm制程，接口协议：UFS2.0，HS-G3 2-Lane（11.6Gbps）
THGLF2G8J4LBATR MLC UFS2.0 32GB 11.5x13x1.0 FBGA153
THGLF2G9J8LBATR MLC UFS2.0 64GB 11.5x13x1.0 FBGA153
第四代 (2016年3月前*) 15nm制程，接口协议：UFS2.0，HS-G3 2-Lane（11.6Gbps）
THGBF7G8K4LBATR MLC UFS2.0 32GB 11.5x13x1.0 FBGA153
东芝闪存的命名规则与业内其他品牌相似，主要包括以下几个部分：
产品系列：东芝闪存产品系列通常以“THGAF”开头，其中“THGAF”为东芝闪存的商标之一，后面跟随着数字，表示不同的闪存型号。例如，THGAF4G9N4LBAIR就表示该闪存是一款容量为64GB的TLC型闪存。
容量规格：东芝闪存的容量规格通常以“G”开头，表示该闪存的容量单位为GB。例如，64GB的THGAF4G9N4LBAIR就表示该闪存的容量为64GB。
架构类型：东芝闪存的架构类型主要包括TLC、MLC、SLC等。其中，TLC型闪存是最常见的一种，也是东芝闪存的主要型号之一。
制程工艺：东芝闪存的制程工艺通常采用15纳米或更先进的技术。较先进的制程工艺可以提高闪存的读写速度和寿命，但同时也会带来更高的功耗和发热问题。
东芝闪存的命名规则一般遵循以下原则：
1. 产品型号以英文字母和数字组成，标识产品的不同版本和规格。
2. 产品名称通常包括容量大小和速度等关键参数，例如：THnv128GSPS、THNSF128GSPK。
3. 产品型号中的字母代表不同的系列和性能等级，例如：
- 第一位字母 T 代表高性能型号
- 第二位字母 H 代表客户端使用
- 第三位字母 N 代表 MLC NAND 闪存芯片
- 第四位字母 F 代表 TLC NAND 闪存芯片
- 第五位字母 S 代表 SATA 接口
- 第六位字母 P 代表 PCIe 接口
到此，以上就是小编对于东芝笔记本四代机怎么样的问题就介绍到这了，希望介绍的1点解答对大家有用，有任何问题和不懂的，欢迎各位老师在评论区讨论，给我留言。
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